1. 多維參數(shù)可控
設備采用相位可控的高功率脈沖技術,不僅使靶材離化率提升 3 倍以上,更能通過調(diào)節(jié)離子能量(0V~1000V 偏壓)與入射角度,精準控制薄膜晶體結(jié)構(gòu)、界面結(jié)合力與致密性。搭配 **≤1×10?2Pa 高真空本底 ** 與室溫 - 800℃可調(diào)基底加熱系統(tǒng),可制備出無針孔、晶粒均勻的高性能薄膜,膜厚均勻性誤差控制在 ±3% 以內(nèi)。
2. 三靶靈活配置,研發(fā)效率倍增
集成三個標準靶位(標配Ф50mm Au/Ag/Pt 貴金屬靶,支持異質(zhì)靶材定制),無需破真空即可快速切換沉積模式:既能依次濺射形成多層功能膜,也能共濺射制備成分漸變的復合材料。例如在光電材料研發(fā)中,可通過調(diào)節(jié) Ti、Si、N 靶功率比,實現(xiàn) TiSiN 抗氧化薄膜的性能優(yōu)化,較傳統(tǒng)單靶方案縮短研發(fā)周期 60%。
3. 智能系統(tǒng)加持,操作安全可靠
搭載全自動 PLC 控制系統(tǒng)與循環(huán)水冷系統(tǒng),可一鍵完成預濺射(3min~30min)、沉積等流程,實時監(jiān)控真空度、氣體流量(5Sccm~100Sccm)等關鍵參數(shù)。設備采用閉合磁場設計減少電子損耗,配合脈沖電源抑制電弧放電,確保 300 小時以上穩(wěn)定運行,極大降低薄膜缺陷率。
三、全場景覆蓋:賦能多學科創(chuàng)新研究
?? 新材料研發(fā)
可制備納米功能薄膜、催化材料與傳感器敏感層,在高熵合金涂層研究中,通過三靶共濺射實現(xiàn) 5 種以上元素的精準配比,突破單靶成分調(diào)控局限。
?? 微納電子與光學
用于半導體器件電極制備、ITO 透明導電膜及光學濾光片研發(fā),憑借低缺陷沉積技術,使器件擊穿電壓提升 40%,光學透過率達 95% 以上。
?? 生物醫(yī)學領域
定制抗菌涂層與生物傳感器界面,通過 Ag 靶與陶瓷靶協(xié)同沉積,實現(xiàn)薄膜生物相容性與抗菌性的優(yōu)化平衡。
?? 教學與科研
適配物理、材料等學科實驗教學,直觀展示磁控濺射原理,同時滿足前沿課題需求,如非平衡磁場調(diào)控下的多孔薄膜制備。
四、設備價值:實驗室的創(chuàng)新基石
作為國產(chǎn)鍍膜設備代表,三靶磁控濺射鍍膜儀以 “精準調(diào)控 + 高效靈活" 的核心優(yōu)勢,打破進口設備技術壟斷。其緊湊設計適配實驗室場景,定制化樣品臺可滿足不同基底尺寸需求,從基礎研究到中試開發(fā)賦能,助力科研人員加速實現(xiàn)技術突破與成果轉(zhuǎn)化。