EPEE i200等離子體增強化學氣相沉積系統

設備特點

•單腔雙片架構：在單個反應腔內實現兩片晶圓的同步工藝處理，既保留了單腔環境穩定、工藝參數易精準控制的優勢（保障薄膜質量一致性），又通過雙片并行提升了單位時間的產能，兼顧 “高性能” 與 “高產能”，適用于從批量生產到精密工藝研發的多種場景；

•高效傳輸系統與智能軟件調度算法：傳輸系統采用高精度機械結構，可實現晶圓在不同模塊間的平穩、快速轉移，避免因傳輸晃動導致的晶圓損傷或工藝偏差；搭配的智能軟件調度算法能根據實時工藝需求、腔室占用情況優化晶圓傳輸路徑與工藝順序，減少等待時間，提升設備整體運行效率，同時確保多批次工藝的穩定性；

•高效遠程等離子體清洗系統：通過遠程生成等離子體對反應腔內部進行清洗，可有效去除腔室殘留的薄膜碎屑、反應副產物等雜質，避免雜質對后續沉積工藝造成污染；該系統清洗效率高且不損傷腔室結構，能長期維持腔室潔凈度，配合嚴格的顆粒監控機制，實現良好的顆粒控制，保障薄膜沉積質量；

•靈活的沉積工藝支持：可同時兼容氣態硅烷（如 SiH?）和液態正硅酸乙酯（TEOS）兩類沉積原料對應的工藝 —— 氣態硅烷工藝適合制備高純度、高致密性的薄膜，液態 TEOS 工藝則在薄膜臺階覆蓋性、工藝穩定性上有優勢；兩種工藝的兼容讓設備能根據不同薄膜的性能要求（如絕緣性、致密性、覆蓋性）靈活選擇方案，滿足多樣化應用需求。

產品應用

•晶圓尺寸適配：明確兼容 6 英寸與 8 英寸兩種主流晶圓規格，無需對設備進行大規模機械改造或參數重構即可實現不同尺寸晶圓的工藝切換，降低了產線在應對不同訂單需求時的設備調整成本，提升了產線靈活性；

•適用材料覆蓋：除核心的氧化硅、氮化硅、氮氧化硅外，還可沉積非晶硅（用于薄膜晶體管等結構）、非晶碳（用于硬掩膜、保護層）、PSG（常用于晶圓表面鈍化、摻雜源）、BPSG（多用于多層金屬互連間的絕緣層），覆蓋半導體制造中多種關鍵功能薄膜的制備需求；

•適用工藝場景：聚焦三大核心工藝 —— 掩膜層沉積（為光刻工藝提供圖形轉移的 “模板”，保障光刻精度）、鈍化層沉積（保護晶圓表面器件免受外界環境侵蝕，提升器件可靠性）、絕緣層沉積（實現器件不同導電區域間的電氣隔離，避免漏電或信號干擾），是半導體器件制造中多個關鍵工序的核心設備；

•適用領域延伸：廣泛應用于集成電路領域（支撐邏輯芯片、存儲芯片的核心薄膜制備）、化合物半導體領域（適配 GaAs 等化合物襯底的工藝需求，助力射頻、光電子器件制造）、功率半導體領域（滿足 SiC 等功率器件的絕緣、鈍化層需求）、半導體照明領域（如 LED 芯片的薄膜制備，提升發光效率與穩定性）、硅基微型顯示領域（為硅基 OLED、Micro LED 等微顯器件提供關鍵結構層），同時也適用于高校、科研機構的半導體材料與工藝研發，為技術創新提供設備支持。